Yksiseinämäisten hiilinanoputkien ainutlaatuisia sähköisiä ominaisuuksia on hyödynnetty transistorien valmistuksessa vuodesta 1998, jolloin ensimmäiset toimivat komponentit valmistettiin. Tässä diplomityössä perehdytään mahdollisuuksiin käyttää hiilinanoputkia puolijohtavana materiaalina. Työtä varten on valmistettu ja analysoitu kanavatransistoreja, joiden kanavana on järjestämätön nanoputkiverkosto.

Työssä kuvaillaan hiilinanoputkien valmistus laminaarivirtausreaktorilla sekä niiden kerrostus sähköstaattisella erottimella. Verkoston kuviointiin käytetään menestyksellisesti uudenlaista huoneenlämpötilamenetelmää, jossa nanoputkia ei tarvitse esikäsitellä tai sekoittaa liuottimiin. Valmistettujen komponenttien suorituskykyä mitataan ja tarkastellaan. Työssä esitellään myös valmiille komponenteille suorituskyvyn parantamiseksi tehtyjä kokeita ja niiden tuloksia.

Työn lopussa esitellään joitakin mahdollisia sovelluksia, joissa voitaisiin hyödyntää hiilinanoputkiverkostojen ainutlaatuisia ominaisuuksia.