Research and development of dilute nitride semiconductors GalnNAs-on-GaAs
Research and development of dilute nitride semiconductors GalnNAs-on-GaAs
Sparad:
Fysisk beskrivning |
viii, 63, [57] sivua : kuvitettu ; 25 cm |
---|---|
Språk |
engelska |
Originalverkets språk |
engelska |
Beskrivning |
Tiivistelmä ja 8 erip. |
Utgivare |
Tampere :
Tampere University of Technology,
2004.
|
Lärdomsprov | Väitöskirja Tampereen teknillinen yliopisto |
Serie | Publication / Tampere University of Technology, ISSN 1459-2045; 490. |
Klassifikation | |
Ämnen | |
Mer information | Emil-Mihai Pavelescu |
ISBN |
952-15-1235-0 nidottu |