Process development and device modelling of gallium arsenide heterojunction bipolar transistors
Process development and device modelling of gallium arsenide heterojunction bipolar transistors
isbn9512254433.pdf
(Aalto-yliopisto - Aaltodoc)
Tallennettuna:
| Ulkoasu |
xiii, 133, [2] sivua : kuvitettu ; 25 cm |
|---|---|
| Kieli |
englanti |
| Alkuteoksen kieli |
englanti |
| Julkaisija |
Espoo :
Helsinki University of Technology,
2001
|
| Opinnäyte | Väitöskirja : Teknillinen korkeakoulu, Espoo |
| Sarja | Reports in electron physics, ISSN 0781-4984; 2001/26. |
| Luokitus | |
| Aiheet | |
| Valmistaja | (Otamedia) |
| Lisätiedot | Anssi Hovinen |
| Verkkoaineisto |
951-22-5443-3 |
| ISBN |
951-22-5438-7 pehmeäkantinen |
| Standardinumero |
TKK-DISS-1514 |