Fabrication of a MOS diode with a nanostructured c-Si/SiO[sub 2] layer
Finna-arvio
Fabrication of a MOS diode with a nanostructured c-Si/SiO[sub 2] layer
Tallennettuna:
| Ulkoasu |
9 sivua |
|---|---|
| Kieli |
englanti |
| Alkuteoksen kieli |
englanti |
| Julkaisija |
Espoo :
Teknillinen korkeakoulu,
1997.
|
| Sarja | Reports in electron physics / Teknillinen korkeakoulu, ISSN 0781-4984; 16. |
| Luokitus | |
| Lisätiedot | S. V. Novikov, J. Sinkkonen and O. Kilpelä |
| ISBN |
951-22-3815-2 |